आधुनिक कार्बन फायबर औद्योगिकीकरणाचा मार्ग म्हणजे पूर्ववर्ती फायबर कार्बनीकरण प्रक्रिया. तीन प्रकारच्या कच्च्या तंतूंची रचना आणि कार्बन सामग्री टेबलमध्ये दर्शविली आहे.

कार्बन फायबर रासायनिक घटक कार्बन सामग्रीसाठी कच्च्या फायबरचे नाव /% कार्बन फायबर उत्पन्न /% व्हिस्कोस फायबर (C6H10O5) n4521～35 polyacrylonitrile फायबर (c3h3n) n6840～55 पिच फायबर C, h9580～90

कार्बन फायबर तयार करण्यासाठी या तीन प्रकारच्या कच्च्या तंतूंचा वापर करण्याच्या प्रक्रियेमध्ये हे समाविष्ट आहे: स्थिरीकरण उपचार (200-400 वर हवा℃, किंवा ज्वालारोधी अभिकर्मक सह रासायनिक उपचार), कार्बनीकरण (नायट्रोजन 400-1400 वर℃) आणि ग्राफिटायझेशन (१८०० च्या वर℃आर्गॉन वातावरणात). कार्बन फायबर आणि संमिश्र मॅट्रिक्समधील चिकटपणा सुधारण्यासाठी, पृष्ठभागावर उपचार, आकारमान, कोरडे आणि इतर प्रक्रिया आवश्यक आहेत.

कार्बन फायबर बनवण्याचा दुसरा मार्ग म्हणजे बाष्प वाढ. उत्प्रेरकाच्या उपस्थितीत, 1000 वर मिथेन आणि हायड्रोजनच्या प्रतिक्रियेद्वारे जास्तीत जास्त 50 सेमी लांबीचे खंडित लहान कार्बन तंतू तयार केले जाऊ शकतात.℃. त्याची रचना पॉलीएक्रायलोनिट्रिल आधारित किंवा पिच आधारित कार्बन फायबरपेक्षा वेगळी आहे, ग्रेफाइट करणे सोपे आहे, चांगले यांत्रिक गुणधर्म, उच्च चालकता, इंटरकॅलेशन कंपाऊंड तयार करणे सोपे आहे.(गॅस फेज वाढ (कार्बन फायबर) पहा.